王圩         王圩，半导体光电子学专家，1937年12月25日出生于河北省文安县。1960年从北京大学物理系半导体专业毕业后即进入中国科学院半导体研究所从事半导体材料和器件研究工作至今。1988年任半导体研究所研究员，同年被国家人事部授予“国家有突出贡献中青年专家”称号。1997年当选为中国科学院院士。曾担任半导体所学术委员会副主任、光电子中心副主任、国家自然科学基金委员会信息科学部评审组组长、国家自然科学基金委员会信息学部咨询委员会委员。1992年至2004年间历任IEEE国际半导体激光器会议(第13届至第19届ISLC)程序委员会委员等。          王圩长期从事半导体光电子材料与器件研究。其科技成果归纳有：          120世纪80~90年代，采用大过冷度技术和量子剪裁生长技术，研制出1.3μm/1.5μm激光器和应变量子阱动态单模分布反馈激光器，多次获国家和科学院奖。在西方禁运时期，为国内提供了研发第二、三代长途大容量光纤通信急需的光源。          221世纪初，在半导体光电子材料和器件的前端研究领域，主持了对大应变量子阱材料以及不同带隙量子阱材料的单片集成等关键技术的研究，取得了如下成果:  (1)建立了“渐变张应变量子阱”结构，使得双端（光入/光出）半导体光学器件（含半导体光放大器和电吸收调制器等）的光学偏振不灵敏带宽扩展到70nm，大幅度提高了双端器件的应用范围。  (2)利用半导体材料带隙剪裁技术平台，制作了瓦斯探测用的大应变量长波长1664nmDFB激光器，并已开始试用于煤矿安全系统。  (3)建立了用量子混杂(QWI)和选区外延生长（SAG）相结合的技术，研制成功用于主干线大容量光纤通信系统的10千兆码率（10Gb/s）电吸收调制的分布反馈（DFB）激光器和可调谐的电吸收调制DFB激光  器发射模块，达到国际先进行列。 奠定了在国内研制含有多个不同带隙波长区域的单片多功能集成材料的基础。  (4)采用非对称双波导（ATG）结构，设计和制作了模斑转换器（SSC）与双端光学器件（包括激光器、放大器和调制器等）的集成部件，研制成功10千兆码速的光信息处理译码器并大幅度提高了光学双端器件和单模光纤的耦合效率。          近五年来，在InP基化合物半导体的不同带隙材料横向区域单片多功能集成和InP基多功能量子材料的纵向能带控制和剪裁技术领域，出色地完成了国家任务并已付诸实用，凝炼出了40项相关发明专利技术（已获国家发明专利授权16项），发表相关论文99 篇。他培养的5名硕士、22名博士研究生中，有两名获中科院院长奖，一名获教育部宝钢奖。在王圩主持下所建立的研究InP基光电子功能材料的集成技术平台，已成为了国内开展InP基功能集成材料和器件的研究以及技术辐射和应用的基地。          王圩长期坚持工作在科研的一线并始终不渝地进行了科研成果向实用化的过渡，他所负责的研究项目获中国材料研究学会科学技术一等奖一次；国家科技进步奖二等奖两次；中国科学院科技进步奖一等奖一次、二等奖两次；国家“六.五”攻关奖一次。
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