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郑厚植，半导体物理、器件专家，1942年8月出生，籍贯江苏常州。1965年毕业于北京清华大学无线电电子学系半导体物理专业。1965年10月至1978年12月在中国科学院半导体研究所任研究实习员，助理研究员，1978年12月任副研究员。1979年2月至1981年9月作为Alexander Von Humboldt基金会奖学金获得者在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作。1981年10月至1983年10月在中国科学院半导体研究所担任“六五”中国科学院重点课题“二维电子气物理”课题组组长。1983年11月至1986年4月参与中国科学院和美国物理学会关于原子、分子和凝聚态物理合作研究备忘录计划,在美国Princeton大学电机工程系从事研究工作。1986年以后在中国科学院半导体研究所任研究员（1986年），博士生导师（1990年）。1988年至1989年被聘为中国高等科学技术中心(CCAST)特别成员。1992年被授予国家有突出贡献的中青年科学家称号。1989年至1995年任半导体超晶格国家重点实验室主任。1995年至2002年任中国科学院半导体研究所所长。1995年当选中国科学院院士（数理学部）。 自1986年起历任“七五”国家重大基金项目，“八五”和“九五”国家攀登计划项目，“十五”国家重点科技研究计划（973），“十一五” 国家重大科学研究计划等项目的负责人和首席专家。曾任和现任国家纳米科学技术中心顾问委员会、科技部 “量子调控“研究重大科学研究计划专家组等成员;清华信息科学与技术国家实验室(筹)理事会、 中国科学院凝聚态物理国家实验室(筹)理事会等成员;《中国科学》物理学编委会等的执行副主编、编委；中国物理学会、中国电子学会理事,半导体物理专业委员会主任。历任 International conference on electronic properties of two dimensional electron systems(EP2DES),International conference on the physics of semiconductors(ICPS),International conference on superlattices,microstructures and microdevices(ICSMM)等大型序列性国际会议的顾问委员会,程序委员会,组织委员会委员、主席.Semiconductor Science and Technology,Microelectronics Journal 国际编委，英国物理学院IOP(institute of Physics)的高级成员。 20世纪70年代初在MOS大规模动态RAM电路发展的初期，他在1024位动态RAM芯片的动态逻辑电路、版图总体设计和逻辑功能检测等方面做了一系列先驱性工作，推动了国内DRAM研制的起步。 20世纪80年代,他和英国Thornton同时，独立地在国际上最早提出了分裂栅控技术，并且用它实现了具有高迁移率一维异质结量子线。并成功地用分裂栅控异质结构研究了局域化由二维至一维的维度变换行为，从实验上证实了相位损失时间随电导变化的重要理论关系。在此以后的许多工作均采用了这种技术，制成了量子点接触，横向一维超晶格、量子点等结构，揭示了一系列新奇的介观输运现象。本项研究发表后在国际上产生了较长时期的影响，一直到2002年仍在被人引用，被认为是低维半导体结构物理的先驱工作之一。他在国际上首次测量了量子化霍耳电势的分布，发现了霍耳电流自动向样品低损耗区积集的特性。该项工作发表后诱发了许多有关的理论和实验研究，并作为“特别有用和十分有意义的论文被美国物理杂志(Am.J.Phys.58,109,1990)收入整数量子霍耳效应的论文库,也一直被引用至今(2004年)。他最早在国 际上报导量子霍耳效应尺寸效应，发现窄沟道结构中朗道能级电子态的局域化发生在态密度的低能侧。国际《自然》杂志(Vol.318,No5,409,1985)在其新闻和评述专栏撰文专门介绍了这项工作，说“郑厚植等人发现了一个新的，但是与(*整数量子霍耳效应)有关的效应……”。工作也一直被引用至今(2006年)。随后,他又提出了由g3Hartree互作用诱导的二维空穴反常正磁阻的新物理模型和理论,正确解释了实验现象;平行磁场对二维电子弱局域化效应影响的新机制。 90年代，他针对双势垒共振隧穿现象做了系统的工作。揭示了二维至二维共振隧穿的特性,新报道了由声子辅助隧穿的LO-1模式,双势垒结构中Г-X-Г通道引起的磁隧穿振荡现象;提出了利用双势垒结构磁电容谱测量二维电子系统态密度的新方法,测量二维电子气在整数朗道能级填充因子附近的电子有效扩散长度新方法,测量隧穿逃逸时间的理论和实验方法;揭示了因磁场减慢子带间弛豫而使共振隧穿电流峰受到抑制的新现象。另外,他通过研究量子阱的光谱性质，实验研究了激子束缚能随电场的变化；子带间弛豫速率与子带间隙的关系。 2000年以后,他从事微纳结构中量子调控的物理原理和应用量子调控的新奇器件效应研究。研制出存储/读出时间比极高的光子存储器。研制出多种波段的新原理探测器。在自旋量子调控方面，他从实验上揭示当自旋取向相反能态上的填充不相等时，电子间的多体交换作用可诱导出一种与Rashba和Dresselhaus自旋分裂完全不同的，新的自旋分裂。并可用来对自旋输运进行量子调控。他实验报道了非基态上自旋弛豫动力学的完整行为。首先用磁圆双色光谱提供了GaCrAs稀磁半导体具有本征铁磁性的实验证据。 他前后获得1994年、1995年中国科学院自然科学奖一等奖(排名第一)、二等奖(排名第二)。此外还作为全国国家重点实验室先进个人,于1994年、2004年两度获科技部颁发的金牛奖。 |
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