秦国刚，半导体物理学家，江苏昆山人，1934年3月19日出生于南京。1956年毕业于北京大学物理系，1957年2月至1961年2月在该系攻读研究生，师从国际著名物理学家黄昆教授，研究方向为固体物理学。1962年至1970年任北京大学物理系讲师，1970年至1979年任北京大学汉中分校无线电系讲师，1979年至 1985年任北京大学物理系副教授，1985年至今任北京大学物理系(2001年以后物理学院)教授，1986年至今任北京大学物理学院博士生导师，2001年当选为中国科学院院士。

    秦国刚长期从事半导体材料和器件物理研究，在半导体中杂质、缺陷和深能级、肖特基势垒、纳米硅／氧化硅体系和硅基有机半导体发光、纳米化合物半导体材料与器件物理等领域作出具有系统性和创造性的成果。1990年多孔硅发强光现象被发现后，对其发光机制国际上提出过几十种不同物理模型。1993年秦国刚和贾勇强提出量子限制发光中心(QCLC)模型，已被国际学术界广泛肯定为互为补充的两个主导物理模型之一，提出QCLC模型的单篇论文，SCI论文他引超过100次。1994年从实验上发现电致发光可来自氧化硅中发光中心（杂质或缺陷），设计并研究一系列发光来自氧化硅发光中心的纳米硅／氧化硅电致发光创新结构，被广泛引用。美国Rochester大学Fauchet组与法国物理学家在物理评论快报的合作论文提出：纳米硅大时，纳米硅内发光占优势，纳米硅小时，纳米硅／氧化硅界面发光中心发光占优势，被广为引用。2003年秦国刚与李宇杰提出的理论得出了与之相反的论点：纳米硅大于临界尺寸，纳米硅／氧化硅界面发光中心发光占优势；纳米硅小于临界尺寸，纳米硅内发光占优势。该结论已获多篇文献上实验的明确支持。近年，秦国刚等研究硅基有机半导体发光，将pSi阳极、磷光有机半导体、电子注入能力强的电子传输层和Sm／Au出光阴极结合在一起，获功率转换效率为12%，外量子效率为17%的电致发光，这是国际上硅基有机电致发光已报道的最高效率。在纳米直接带化合物半导体／硅异质结及其发光研究中首次实现了ZnO单根纳米线与硅的异质结的紫外电致发光。在单根CdS纳米线或带上制备出一系列高性能纳米器件，包括肖特基二极管、MESFET和由多个MESFET组成的逻辑器件。首次提出由附加肖特基接触来增加纳米线或带的耗尽区的方法，大幅度提高了CdS准一维MISFET的多个指标，获已报道的最低工作电压。
秦国刚1987年 获国家教委科技进步奖一等奖；2001年获中国物理学会2000－2001年度叶企荪奖；2005年获北京市科学技术奖一等奖；2007年获国家自然科学奖二等奖。

    秦国刚教授教书育人，以身作则，循循善诱，诲人不倦，先后培养博士生和硕士生50余名。博士生中获叶企孙物理奖一等奖和二等奖各一次，获第19届半导体物理国际会议（1992）最佳青年论文奖一次

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