张泽，物理学家，1953年生于天津市。1980年吉林大学物理系毕业。1983年获硕士学位，1987年获博士学位。1988～1990年在德国于利稀研究中心，1991在美国里海大学从事研究工作。现为中国科学院物理研究所研究员，中国科学院北京电子显微镜开放实验室主任，清华大学等几所大学材料系兼职教授，国际晶体学会执委，中国物理学会、中国材料学会常委，全国政协委员。
         20年来，张泽利用电子显微分析方法对准晶、低维纳米材料等国际材料科学的一些重要问题进行了系统研究。曾荣获“国家自然科学一等奖”等8项国家及部委级奖励。其主要研究成果被写入多部国内外学术专著及教课书中。张泽共发表140余篇论文，其中国际学术刊物论文90篇，被SCI引用670余次。编著《电子显微学在材料科学中应用》英文专著1部，应邀在国际国内系列学术会议上做邀请报告15次。
         张泽等于1984一1985年在过渡族金属激冷合金中发现具有五次对称的二十面体准晶，这属于国际准晶研究的开创性工作之一，被认为是“我国实验物理方面的重要成果”(国家科学技术奖励委员会)。随后，张泽又就准晶的相变、结构稳定性及其与晶体间结构关系、一维准晶等国际准晶研究前沿课题进行了系统研究并取得创造性成果。因此，1986年荣获首届“吴健雄物理奖”。1987年，该钛镍钒准晶发现与叶恒强等关于微畴结构五次对称衍射研究成果一起荣获了“国家自然科学一等奖”，获奖题目为“五次对称和钛镍钒准晶的发现”。
         这篇钛镍钒准晶发现的论文发表后受到国际学术界的重视，引用次数居当时我国学者发表论文被国际学术界引用次数第一名。现这一成果已被scI引用160余次，已成为国际准晶研究经典文献之一，主要成果被写入多部国际、国内有关晶体学、凝聚态物理学术专著和教课书中。
         1988～1989年间，张泽将晶体中电子衍射衬度成像理论方法引人准晶缺陷的实验观察研究，在A1一Cu—Co十次对称准晶中发现了位错、层错，并用新方法确定了位错的布氏矢量方向；继而又首次用电子衍射衬度实验方法确定了五次对称准晶中的位错方向及布氏矢量方向，并根据准晶非公度性质，提出了准周期性晶体中位错的“强／弱消光”理论，进行了系统的理论、实验研究，在准晶中的位错、层错等方面研究取得新的突破，在国际上形成新的研究分支领域，并处于国际领先地位。有关2篇准晶中缺陷研究的代表性论文在发表后被引用llO余次，并3次在国际学术会议上作邀请报告，这些结果也被作为准晶缺陷研究的原始文献，多次被国际准晶大会的数位特邀报告人在报告中引用。该成果也被写入多部科技专著和教课书中，还曾应邀在美国物理年会上做专题邀请报告。
         自1993年以来，张泽根据国际材料科学进展，拓展新的研究领域，在具有重要理论意义和重大应用价值的蓝光发射GaN薄膜、巨磁电阻(GMR)金属超薄多层膜、CVI)_一金刚石薄膜；碳纳米管、硅纳米线等现代低维材料的显微结构及其与物理性能间关系方面进行了系统研究，在国际著名应用物理学术期刊Appl．。Phhys．ktt．上发表论文8篇，还在：Phys．Rev．B等其他国际学术期刊上发表论文20余篇，共30余篇。先后6次在国际、国内学术会议上做邀请报告。
         他系统研究了硅衬底上化学气相沉积金刚石薄膜的异质局部外延晶体学关系、缺陷组态与薄膜生长间关系；探讨了非晶过渡层和碳化物对金刚石成核的影响。利用高分辨显微结构研究方法，揭示了影响蓝光发射CaN薄膜质量的一些关键性结构问题。系统研究了CaN薄膜过渡层中立方、六方结构的分布特征，指出了在一般情况下，蓝宝石衬底的氮化处理对获取高质量外延CaN膜的重要影响；指出GaN过渡层中缺陷组态对外沿生长薄膜质量的重要作用。注重一维、二维纳米新材料中缺陷及界面结构对物理性能影响的研究。积极探索了巨磁电阻薄膜中磁性月}磁性层界面结构对GMR效应的影响，研究了自旋阀多层膜的柱晶显微结构及其与物理性能间关系。为深入理解金属超薄多层膜物理性能与显微结构之间关系，改善制备工艺，提高薄膜质量，提供了重要结构依据。张泽与他人合作，率先开展了纳米硅线的生长机理、显微结构及物理性能的研究。揭示了孪晶等缺陷对纳米硅线扭折、弯曲、螺旋生长的影响。研究了纳米硅线的量子尺寸效应、锂离子掺杂产生的显微结构对纳米硅线优异发光、储电性能的影响。对纳米氮化硼管的显微结构也进行了深入研究。
         张泽还曾担任亚州晶体学会主席，国际晶体学报编委。自1996年以来，还在中国科协分管国际、国内学术交流工作。1993年获国家优秀中青年基金，1997年获国家杰出青年基金。现还承担国家重大基金研究项目。