王占国，半导体材料物理学家，1938年12月29日生于河南省镇平县。1962年毕业于南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。1980～1983年为瑞典隆德大学固体物理系访问学者，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年被破格晋升为研究员，并任半导体材料室主任。1990年被国务院学位委员会批准为博士生导师。1990～1994年任中国科学院半导体研究所副所长；从1990年起任中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室主任，并先后被选为国际半导体和半绝缘体材料会议，第七届国际化学束外延会议，国际缺陷识别、成像和物理会议等多个顾问委员会委员。1990～2001年先后任国家“863’’计划高技术新材料领域专家委员会委员、常委，功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863’’计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996。2000年被科技部聘任为国家“$863’’计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；从1992年起先后担任南京大学、西安交通大学、南开大学和北京师范大学等六所高校兼职教授，北京大学、清华大学、山东大学和中国科学院上海微系统和信息技术研究所等6个国家和部门开放实验室学术委员；《半导体学报》、《人工晶体学报》等多个学术刊物编委；2002年国际材联电子材料会议副主席兼程序委员会主席；中国材料研究学会常务理事，北京市人民政府第八届专家顾问团顾问。1995年当选为中国科学院院士，现任技术学部常委。
        1962～1970年，主要从事半导体材料、器件辐照效应和光学、电学性质研究。其中，硅太阳电池电子、质子辐照效应研究成果为我国人造卫星用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用；受中国人民解放军第14研究院的委托，他负责制定了我国电子材料、器件和集成电路辐照效应研究方案和实施计划。电子材料、器件和集成电路的电子、质子、中子和丫一射线的静态、动态和核爆瞬态辐照实验结果为我国航天事业、核加固、核突围和电子对抗等国防工程做出了贡献。工作中，他身先士卒。右手和全身曾受过III度和II度电子辐照伤害。
        197l—1980年，他负责设计、建成了低温电学测量和光致发光实验系统，并对GaAs和其它III—V族化合物半导体材料的电学、光学性质进行了研究。其中，体GaAs热学和强场性质的实验结果以及与林兰英先生一起提出的“GaAs质量的杂质控制观点”，对我国20世纪70年代末纯度GaAs材料研制方向的战略转移和GaAs外延材料质量在80年代初达国际先进水平贡献了力量。
        1980～1983年，经黄昆和林兰英两位所长推荐，他作为访问学者，赴国际著名的深能级研究中心瑞典隆德大学固体物理系，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。在国际该领域的权威H．G．QJmmeiss教授等的大力支持和合作下，做出了多项有国际影响的工作，如提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论；提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型，解释了它们的物理实质；澄清和识别了一些长期被错误指派的GaAs中与铜等相关的发光中心等。在这期间发表的10篇论文，截止1995年5月，被引用200余次。
        1984—1993年，在半导体材料生长及性质研究中，先后负责承担多项国家自然科学基金、国家重点科技攻关和国家高技术“863’’研究课题。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，为提高GaAs质量器件与电路的成品率提供了依据。与人合作，提出了直拉硅中新施主微观结构新模型，屏弃了新施主微观结构直接与氧相关的传统观点，成功地解释了现有的实验事实，预示了它的新行为；在国内率先开展了超长波长锑化物材料生长和性质研究，并首先在国内研制成功InGaAsSb，A1GaAsSb材料及红外探测器和激光器原型器件，获1989年中国科学院科技进步二等奖；等电子杂质In在GaAs中行为研究成果获1990年中国科学院科技进步三等奖和国家“七五”重点科技攻关奖。协助林兰英先生，开拓了我国微重力半导体材料科学研究新领域，首次在太空从熔体中生长出GaAs单晶并对其光、电性质作了系统研究，受到国内外同行的高度评价，研究成果获1989年中国科学院科技进步一等奖和1990年国家科技进步三等奖。
        从1993开始，他工作的重点已集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿研究方面，先后主持和参与负责10多个国家"863’’、国家重点科技攻关，国家自然科学基金重大、重点和面上项目以及中科院重点、重大等研究项目。他领导的实验组，在成功地生产了国内领先、国际先进水平的电子迁移率(4．8K)高达百万的2DEG材料和高质量、器件级HEMT和P—HEMT结构材料(获1995和1997年中国科学院科技进步二等奖)的基础上，近年来，又发展了应变自组装In(Ga)As／GaAs，InAns／A1GaAs,／GaAs，InAs／IlqAIAs／kP和：InAs／InGaAs／InP等量子点、量子线和量子点(线)超晶格材料生长技术，并初步在纳米尺度上实现了对量子点(线)尺寸、形状和密度的可控生长；首次发现InP基InAs量子线空间斜对准的新现象，被国外评述文章大段引用；成功地制备了从可见光到近红外的量子点(线)材料，并研制成功室温连续工作输出光功率3．62W(双面之和)的大功率量子点激光器，为目前国际上报道的最好结果之一；红光量子点激光器的研究水平也处在国际的前列；先后在Appl．Phys．Lett．和Phys．Rev．B等国外重要学术刊物发表论文数十余篇，被引用百余次；研究成果获2000年中国科学院自然科学一等奖，2001年国家自然科学二等奖(初评)。最近，他作为国家重点基础研究规划项目“信息功能材料相关基础研究”的首席科学家，又提出了柔性衬底的概念，为大失配异质结构材料体系研制开辟了一个新的方向。