王守武，半导体器件物理专象，1919年3月15日生于江苏省苏州市。1941年毕业于同济大学机电系。1945年赴美国普渡大学研修工程力学。1946年获硕士学位，经导师推荐，转修量子力学。1949年获博士学位，以后在该校任助理教授一年。1950年回国后，在中国科学院应用物理研究所内研究半导体整流器。1956年创建我国第一个半导体研究室，他任研究员兼室主任。1960年中国科学院半导体研究所成立，王守武被任命为主管业务的副所长。1980年他兼任中国科学院109厂厂长，同年当选为中科院院士。1983年兼任国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长。。1986年中国科学院微电子中心成立，他任名誉主任。从1956年至今，他曾先后兼任清华大学无线电系半导体教研组主任，中国科技大学技术物理系副主任，以及清华、北大、复旦、中国科大研究生院等高等院校的兼职教授和成都电子科技大学名誉教授。
王守武是我国半导体事业的开拓者和奠基人之一。他组织领导并参加了我国第一台锗单晶炉的研制、第一根锗单晶的拉制、第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1958年他亲自参加和创建了中科院109厂，实现了锗高频晶体管的批量生产。1960年他筹建了全国半导体测试基地，为半导体材料和器件建立标准测试方法。他兼任基地中心主任。为了满足某些同行所、厂随时抽测一些样品的需要，他创造性地提出了一种测量半导体中“少子”寿命的新方法，并发表了题为《用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子寿命》的论文．1963年，他组织领导并参加了我国第一只砷化镓激光器的研制。
1975年，王守武在对耿氏器件中高场畴的研究中，首次发现高场畴中雪崩引起的弛豫振荡，并从理论和实践中分析了这种振荡可能达到的频率和效率，同时用计算机模拟研究了耿氏器件中静止畴的形成和转变规律，并在实验中观察到了预期的结果，使人们对高场畴的动力学过程有了较深入的了解。1978年他在分析研究pnpn负阻激光器中，提出在第一个三极管中用异质结构来达到很低的阈值电流和低的增益，而同时增强第二个三极管的电流增益到接近1的程度以保证器件有较理想的开关特性，从而在国际上首次实现了一种低阈值电流的pnpn。负阻激光器。与此同时，他从理论和实践中分析了这种器件的激光输出所能达到的最高自振频率和必要的外部条件，从而为其实际应用打下了基础。
1978年王守武响应邓小平同志“一定要把大规模集成电路搞上去”的号召，担任了研制4千位MOS动态随机存储器的项目总负责人。从一开始他就强调：“不能一味追求研制成功个别样品，关键是要研究如何提高成品率，使研究成果能确实可靠”。当时我国大规模集成电路的成品率处于1％～3％的低水平状态。他分析了成品率低下的种种原因，以严谨的科学态度解决了一个个影响成品率的问题。近百道工艺要稳定，工艺设备、材料、试剂、气体、净化环境等条件都必须稳定。为此他亲自指导对化学试剂进行提纯；将扩散炉安装成双重保险，并24小时运行以保证炉子的稳定和清洁。每当设备发生故障时，他都亲自参加维修，并找出产生故障的原因，从根本上改进设备的结构，以杜绝同样故障的再次发生。为了克服继电器由于打火、簧片氧化造成接触不良等问题，他亲自在簧片上涂焊上白金，使之能长期稳定工作。这样的例子不胜枚举。就这样，尽管当时用的全部是国产设备、材料、试剂、自主研究开发的电路设计和工艺技术，连续十批投片达到了平均成品率28％的好成绩。以后又用一年的时间研制成功了16千位MOS动态随机存储器。这两项成果都被转移到上海元件五厂。在这一年多的时间里，在王守武的带领下，不但超额完成了任务，而且培养了一支作风严谨，训练有素，能够攻坚的科技队伍，由此他获得了全国劳动模范的光荣称号。
1980年，随着国民经济和国防建设的需要，国家急需解决集成电路大生产的实用性技术，王守武奉命兼任109厂厂长，主要从事提高成品率，降低生产成本的集成电路大生产试验。他首先改造老线厂房，以此为基础建立起一条设备性能可靠，工艺流程稳定，操作程序规范的生产线，然后以电视机用集成电路的一个品种进行流片生产，一次就取得了芯片成品率高达50％以上的可喜效果，这比当时国内其他研制单位的同类产品成品率高三至四倍。这一结果不仅锻炼了科技队伍，还在广大干部中建立了大生产的信心。在改造老线的同时，王守武从国家利益和事业发展的需要出发，高瞻远瞩地提出按高标准修改新线厂房的设计方案，并补充一些和整体目标配套的先进工艺设备。1986年他以微电子中心名誉主任的身份，继续参与这条新生产线的建设，终于在1988年通过了国家级联合验收，并再次在中科院科技进步奖的榜上有名。
王守武为人忠厚、谦和，作风民主，他一贯勤奋好学，治学严谨，一丝不苟，且富于创新精神。他曾荣获中科院科研成果奖一等奖两项，中科院科技进步奖二等奖三项，国家科技进步奖二等奖一项以及全国科学大会奖等。
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