王迅，物理学家。江苏无锡人，1934年4月生于上海。1945至1952年就读于上海南洋模范中学，1956年毕业于复旦大学物理系，后师从谢希德教授攻读研究生，1960年1月复旦大学研究生毕业后留校。主讲热力学与统计物理、固体物理学等课程，科研上从事半导体的微波特性研究。1962年任半导体物理教研室副主任，1963年任复旦大学讲师，承担国家重点项目“固体能谱”的研究和顺磁共振与红外低温强磁场实验室建设。1966至1976年，从事半导体微电子专业的教学和科研，任微电子教研室副主任，开设固体物理学、电磁学、半导体物理、晶体管原理、半导体线路和MOS集成电路等课程，进行半导体集成电路的研制和Si／，Si()2界面态研究。1978年起从事表面物理研究，历任表面物理研究室副主任、主任。领导建立了复旦大学表面物理实验室，1990年起被批准为国家重点实验室。1978年5月晋升为复旦大学副教授，1980年3月～11月赴美国威斯康辛大学密澳基分校任访问教授。1984．年8月任复旦大学教授，1985年经国务院学位委员会批准为凝聚态物理学科博士生导师。1996年5月任复旦大学首席教授。1990—1997年任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任。1998年起任复旦大学应用表面物理国家重点实验室学术委员会主任。
        王迅在国际学术界的兼职有：国际纯粹与应用物理学会(IuPAP)半导体委员会委员(1993～1999)，国际刊物《Surface Science》顾问编委。曾十余次担任过国际半导体物理会议、国际硅分子束外延会议、国际表面结构会议、国际固体薄膜与表面会议等国际学术会议的程序委员会、顾问委员会、组织委员会委员或分组会主席。国内学术兼职有：中国物理学会理事，上海市物理学会理事长，中国物理学会半导体专业委员会副主任；中国科学院超晶格与微结构国家重点实验室、中国科学院表面物理国家重点实验室、中国科学院信息功能材料重国家重点实验室、北京正负电子对撞机国家实验室和合肥国家同步辐射实验室的学术委员会委员，《半导体学报》、《物理》、《真空科学与技术学报》、《发光学报》等刊物编委，上海应用物理研究中心理事，中国微结构高等科学与技术中心理事和学术委员。从1980年到1987年，王迅在InP(100)和(111)极性表面和Si表面的结构与电子态研究方面，做出了比较系统的创新成果。
        他用实验结合理论计算确定了InP极性表面的两种表面结构，提出了InP(111)(1×1)表面的原子弛豫结构模型和(100)(4×2)表面的失列一二聚物模型。这是最早提出的InP表面结构的模型，因此在国际上有较大影响，被国外多篇专著或综述论文成段引用。并在1987年日本召开的第四届国际固体薄膜和表面会议上作大会邀请报告。
        他首先在Si(100)表面上观察到一种新的c(4×4)再构，并提出了Si(111)表面的两种氮化结构模型。论文一直到90年代仍被国外文献所引用。
        在多孔硅发光特性和机理研究中，王迅的创造性成果有：(1)首次实现多孔硅的蓝光发射。论文被国际文献广泛引用。被1993年美国召开的“国际纳米硅的光发射和电子特性讨论会”总结为多孔硅研究在1992年内六项进展之一。(2)观察到多孔硅的红外上转换现象，并且用量子限制效应引起的三阶非线性光学常数的增强来解释。这一工作首次在国际上证实多孔硅是一种光学非线性材料。(3)从理论和实验结合上提出多孔硅发光峰位钉扎概念。这对多孔硅发光的量子限制模型提供重要的依据。被《Modem Physics【etters B》杂志的主编邀请撰写多孔硅方面的综述论文。(4)创造性用电子能谱的方法测定多孔硅与硅界面的能带偏移。
        王迅是我国硅锗超晶格和量子点研究的首创者之一，在材料、物理和器件三方面都作出了成果：他领导的研究组所生长的硅锗超晶格材料质量达到很高水平。用x射线衍射测到17级衍射峰，aanlalTl光谱测到9级折叠声子峰，这在国际上相同的结构中未见过报道。他们用自组织方法生长的锗量子点，均匀性达到±3％，优于国际上最好为±6％的水平。由于这项工作，王迅在1997年日本召开的国际光子应用的量子结构会议上作了邀请报告。
        在物理研究方面，开辟了用常规的电学方法(包括DIXS，C—V，导纳谱等)来研究锗硅量子阱限制效应的新途径，并创造用导纳谱在液氮温度下来观察锗量子点的库仑荷电效应。在器件研究方面，研制和合作研制成锗硅红外探测器、发射极电子飞跃异质结晶体管、硅锗光开关、硅锗光波导与定向耦合器和硅锗异质结双极型晶体管等5种硅锗新器件。 历年来，王迅在国内外学术刊物上发表论文290余篇，其中在国际SCI刊物上发表的有130余篇。在国际学术会议上作邀请报告21次，论文被国际刊物引用400余次。有4个项目：“半导体表面电子态理论与实验”、“InP极性表面的原子结构和电子态”、“III—V族化合物半导体的极性表面和界面研究”、“多孔硅的发光特性和机理研究”获国家教委科技进步二等奖。3个项目：“硅分子束外延生长异质结构及其特性”、“高完整性GeSi／Si应变层超晶格的生长和表征”、“硅的表面结构与表面吸附研究”获国家教委科技进步三等奖。他还获得1996年光华科技基金二等奖，1997年中国物理学会第五届叶企孙物理奖。