林兰英，1918年2月生于福建莆田县。1955年获美国宾州大学固体物理学博士学位。1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员，副所长；中国科学院院士；第二、三、四届中国科协副主席；全国第四、五、六届人大代表，第三、七、八届人大常委。她从事半导体材料科学40年，是中国半导体材料科学的奠基人，对中国半导体材料科学的发展作出了重大贡献。
        1957年以前，一方面由于对半导体材料科学发展方向认识不清，另一方面对中国的科学研究能力估计过低，因此我国半导体科学发展计划大大落后于国际半导体科学发展的新趋势，把主要力量集中在即将过时的锗单晶的研究上，对即将成为半导体工业中的“钢”的硅单晶的应用前景认识不足，甚至忽视。1957年回国后，她根据国际半导体材料科学发展的最新趋势提出了开展生长硅单晶研究建议，并立刻组织人力开展生长半导体硅单晶的研究和研制相关设备。这一举措使我国“十二年科学远景规划”中有关发展半导体科学的计划提前了好几年开始实施。1959年在她和她的同事们的努力下成功地生长出我国第一根完整的硅单晶。1960年中国科学院半导体研究所成立，她任半导体材料研究室主任。她立刻组织与有关部门协作，共同研制新一代国产直拉硅单晶炉，并获得成功。这一型号的直拉硅单晶炉在相当长一段时间内成为我国生产硅单晶的主导产品。从1961年开始她组织力量开展低位错，无位错硅单晶以及硅单晶掺杂的研究，不久就提供了一批符合研制硅晶体管的硅单晶材料。利用这些材料中国科学院半导体研究所于1962年研制成功我国首批五种硅平面晶体管。在半导体所的半导体器件和半导体材料研究人员的共同努力下，1964年研制成功我国第一块半导体集成电路。与此同时，从1960年开始她组织采用区熔法生长高纯硅单晶的研究。同样地从零开始，从晶体生长设备的研制到相应的、艰苦的、探索性的工艺研究一直持续10年以上。她们研制的高纯硅单晶不仅达到了国际先进水平，而且满足了许多硅器件对于高纯硅单晶的需求。为此，她于1962，1963年两次获得国家科委科技成果奖。当全国各地半导体材料研究人员拥向半导体研究所来学习硅单晶生长技术时，她组织全体研究人员无私地传授，所有这些为我国硅单晶材料工业和微电子工业的创立发挥了重大作用。70年代末参与了4K位和16K位动态存贮器大规模集成电路攻关的组织领导，使我国首次掌握了这一水平的综合性高技术。于1980，1982年两次获得中科院科技进步一等奖。
        从70年代开始主持硅/蓝宝石异质外延材料的研究，并领导了将其应用于集成电路的研究，开创了我国抗辐照微电子学研究的新领域，其成果已经应用于航天领域。近年来又继续取得重大进展，实现了硅/蓝宝石/硅双异质结外延生长在我国的首次突破。
        Ⅲ～V族化合物半导体是一组应用价值很大的人工晶体，她对这一领域的研究赋予很大的注意。1960年她组织并亲自参与生长出了我国第一根锑化铟单晶，不久就使高纯锑化铟单晶的迁移率达到国际先进水平。1964年中国科学院半导体所提供锑化铟单晶，由兄弟单位研制出了我国最早的一批红外探测器。
        当砷化镓材料的应用前景还不十分明朗的时候，从1960年开始，她高瞻远瞩地组织了生长砷化镓单晶的研究。从水平布里奇曼法，常压直接法，到高压合成直拉法，持续领导这项研究工作达30多年之久。1962年采用水平布里奇曼法生长出我国第一批砷化镓单晶。利用自己生长的砷化镓单晶，于1964年半导体所研制出第一批半导体激光器，使我国半导体光电子学的研究及时地赶上了国际的最新发展。以后在降低砷化镓单晶的位错方面做了大量研究，并达到国际先进水平，1978年获全国科技大会奖。1978年在她的领导下首次生长出我国的磷化镓单晶，从而掌握了在高压下生长半导体单晶的技术。
        70年代砷化镓外延材料已经成为砷化镓器件应用的主流，但是我国和国际水平差距很大。从70年代后期开始，她组织了高纯砷化镓外延材料的攻关，经过6年的努力，我国的高纯液相外延和气相外延材料的研究同时达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平，1981年获中国科学院科技进步一等奖，1985年获国家科技进步二等奖，1993年在她的指导下分子束外延（MBE）研究组又研制成功高性能的AlGaAs/GaAs二维电子气材料，使我国的MBE研究跨进了世界先进行列。
        为了进一步解决砷化镓单晶生产的重复性和均匀性，她怀着强烈的民族自尊心探索在微重力条件下生长砷化镓单晶的新途径，提出了利用我国返回式卫星生长砷化镓单晶的设想，1987年她亲自组织中科院半导体所与航天部兰州物理所合作，完成了砷化镓单晶空间生长的飞行试验，在世界上首次获得了在微重力条件下从熔体中生长的掺碲砷化镓单晶，从而开拓了我国微重力科学新领域。她组织了对空间生长的、砷化镓单晶的物理性质研究，证明了空间生长的砷化镓单晶具有更加精确的化学配比和更加均匀的掺杂分布等一系列优点。这一国际领先的研究成果受到国际同行的高度赞扬。美国航天局（NASA）著名华人微重力专家李杰信博士称赞：“这是中国人民以勤劳节俭的精神创造的杰出科学成果”。1988年又在空间成功地生长了掺硅的砷化镓单晶。该项研究于1989年获中国科学院科技进步一等奖，1990年获国家科技进步三等奖。1992年在空间生长了半绝缘砷化镓单晶，并利用其研制了微波晶体管，也取得可喜的结果。目前，这项研究还在进行。
        进入90年代，她积极领导和支持科研向生产的转化，近年来，半导体所已经向国外出口锑化镓单晶和高压直接合成的磷化铟多晶。