吴自良，冶金学家。1917年12月生于浙江省浦江县。1939年毕业于北洋工学院航空系，获工学学士学位。1939～1942年在云南垒允中美飞机厂设计科任设计员。1942～1943年在昆明机床厂任副工程师。1944年入美国卡内基理工大学冶金系，改学物理冶金专业，1948年毕业，获理学博士学位。毕业后留校作博士后。1949～1950年在纽约州锡里丘斯大学材料系任副研究员。主持软钢的阻尼和疲劳研究。1951年初回国，任唐山北方交通大学冶金系教授，下半年应中科院冶金所之聘任该所研究员，历任室主任、副所长等职，现任冶金所学术委员会主任。吴自良于1950年被选为美国科学促进会（American Association for the Advancement of Science）会员，1980年被选为中科院技术科学部学部委员（院士）。
        1952年，机械工业部向冶金所提出苏联汽车钢40X代用品的研究项目。40X是含铬～1%的中碳调质铬钢，是苏联最广泛应用的调质低合金钢，载重汽车的后轴及其传动齿轮就用此钢制造。调质低合金钢是机械制造工业的支柱材料，需用量约占钢产量的10%。世界各国都采用铬镍合金钢系统。中国少铬矿，当时尚无镍矿发现，因此寻求无铬（或少铬）无镍的低合金钢作为代用钢种是当务之急。吴自良当时就以载重汽车后轴及其传动齿轮作为应用的首选目标。经过热处理对强度性能的影响和化学热处理性能等系统的研究，优选出含锰1.10%～1.50%、钼0.12%～0.18%的中碳锰钼钢，不但生产成本低，低温冲击韧性、回火脆敏感性、疲劳强度、氰化性能等都不亚于40X钢。这项成果，在抚顺钢厂、长春第一汽厂和上海柴油机厂通力合作下进行推广和应用，在载重汽车上经受了一年多的公路行车考验，证明是合格的钢种。此项工作对日后建立我国自己的低合金钢系统起了开创和示范作用，1956年获国家首次颁发的自然科学三等奖。
        50年代，深冲级低碳钢薄板的时效脆化是当时国际上的一个热门课题。这类薄板是用于轿车外壳、家电外壳、厨房器皿的主要钢材，用量很大。在纯氧顶吹炼钢工艺尚未问世之前，钢中含固熔氮普遍较高，引起薄板深冲时的时效脆化，导致各种疵病，此问题长期以来受到冶金界的关注。冶金所对此问题做了十多年的系统研究，结果表现，只有钛原子在钢中有固定氮原子的能力，方能消除氮引起的应变时效。
        60年代初，中科院和高校及有关生产部门联合攻关，进行了真空阀门任务中甲种分离膜的试制工作，在冶金所组成联合研究室。该室如期完成试制和推广工作，受到上级的表彰。1984年获国家科委颁发的创造发明一等奖。
        1987年YBCO被发现后将超导体的临界温度Tc提高到液氮温度（77K）之上，立刻受到全世界的注目，在其后的二年中，在各刊物上发表了上千篇论文，引起了新的研究高潮。1988年吴自良参加了高温超导的研究工作。他的课题小组主要为培养研究生。在YBCO块体方面，认为氧只能在晶胞的底平面（ab平面）作二维扩散，扩散以空位机制进行，但因空位浓度高，关联因子近1的量级，使空位机制和间隙机制无从区别。扩散时原子的跳跃过程，完全可用内耗测出，并求出氧的点阵扩散系数。这些数据，至今仍被认为是氧扩散系数中的最精确数据。
        在YBCO外延膜方面，1992年国外文献已基本澄清这种外延膜是c—取向完整的细晶粒织构，测得晶料间的交角为～0.5°因此这种膜可视为单晶，晶粒雷同于单晶的镶嵌块。晶粒间界的刃位错密度可高达1010/cm2上标，足够钉扎磁通线的运动使这种Ⅱ类超导体的临界电流密度高达＞106/cm2（77K）。研究小组用冶金所自制的溅射外延膜，用原子力显微镜测出晶粒密度为2×108上标/cm2。摇摆曲线测出晶粒夹角～0.4°，求出的位错总密度达l010/cm2，得出和国外各家相同的结论。但鉴于这种c—取向织构膜的ab平面都平行于衬底平面，晶界刃位错都在ab面上，则刃位错的快速扩散管道必须在外延膜四周边面露头，若增氧处理前四周边面用铟封住，在400°C氮中加热1分钟，使其在YBCO膜和铟熔池（铟熔点163°C）界面生成一层氮化铟固态膜，此膜隔断了氧进入膜内的管道，快速扩散不再起作用。以封铟试样和不封铟试样作对比，进行450°C20分钟的加氧试验，不封铟试样的氧含量自6.00增至6.70，封铟样品自6.00。仅增至6.03，不到未封铟试样的5%。膜的尺寸为5mm×3mm×300nm，已知450°C氧的点阵扩散系数为6.67×10－13cm2/sec（用内耗求得），可以算出一个氧原子自膜边缘以点阵扩散的形式到达试样中线（距离1.5mm）所需的时间约须26年，而在加氧试验时只需20分钟就能使整块试样中的氧浓度达到6.70，说明加氧过程中氧的输入主要依靠刃位错的管道。因为氧的管道扩散系数Dp点阵扩散系数DL，在加氧过程中，氧可藉管道扩散在瞬间内将氧输运到织构中的任一颗晶粒的晶界（如此大大缩短了点阵扩散所需经历的距离），再以点阵扩散的模式输入每颗晶粒的内部，这部分氧可用X光衍射法测得。封铟后位错管道被堵塞，氧只能藉晶粒表面生长阶的级，自顶部沿螺旋形ab底平面往底部以点阵扩散模式输运。点阵扩散是很慢的输氧过程，所以封铟试样经450°C加氧处理后，进氧量不到未封铟试样的5%。
        在几十年的科研生涯中，吴自良为我国的冶金事业做出了杰出的贡献。